Инновации

  • Постоянное совершенствование системы инновационного развития
  • Непрерывная разработка и внедрение инновационных технологий
  • Мониторинг и адаптация передового мирового опыта
  • Технологическое обучение специалистов

Эффективность

  • Контроль над расходами
  • Оптимизация логистики
  • Энергосберегающие технологии
  • Непрерывное совершенствование системы корпоративного управления

Социальная ответственность

  • Экологическая и промышленная безопасность
  • Обеспечение безопасных условий труда
  • Охрана здоровья
  • Улучшение качества жизни сотрудников и их семей
  • Поддержка образования
  • Вклад в социально-экономическое развитие регионов

 

Продаем кремниевую продукцию

Слитки и пластины монокристаллические электронного качества.

Спецификация оговариваются с каждым конкретным покупателем отдельно в зависимости от требуемых технических характеристик.

Слитки монокристаллические солнечного качества.

No. Parameters Value Unit
1. Method of cultivation on Czochralski
2. Type/Dopand P-type/Boron
3. Diameter (dia) 150 ± 0,5 mm
4. Pseudosquared ingot dimension (h) 125 x 125 (± 0,5) mm
5. Resistivity 0,5 – 3,0 Ohm*cm
6. Orientation <100> ± 2 degree
7. Life time carrier ³ 10 msec
8. Oxygen £ 1*1018 atom/cm3
9. Carbon £ 1*1017 atom/cm3
10. Ingot length 120 – 450 mm
11. Etch Pit Density (EPD) £ 5*103 atom/cm-2
12. Angle between any sides of pseudosquared ingot (ά) 90 ± 0,3 degree
13. Squareness and parallesism £ 0,5 mm

 



Пластины монокристаллические солнечного качества.

Production code W01/1 - 150/200 W02/1 - 150/200 W03/1- 150/200
Parameter Unit Value Value  Value
Method of cultivation on Czochralski Czochralski Czochralski
Dopand Boron Boron Boron
Conductivity Р Р Р
Resistivity ohm·cm 0.5-3 0.5-3 0.5-3
Diameter mm 150 +/- 0.5 150 +/- 0.5 150 +/- 0.5
Orientation (100) +/- 2° (100) +/- 2° (100) +/- 2°
Minority carrier lifetime msec >10 5-10 2 - 5
Dislocation сm-2 <10 <10 <10
Oxygen аt/cm3 <1,0·1018 <1,0·1018 <1,0·1018
Carbon аt/cm3 < 5,0·1017 < 5,0·1017 < 5,0·1017
Length of ingot mm 100-390 100-390 100-390
Diagonal mm 150 +0.5 /- 1 150 +0.5 /- 1 150 +0.5 /- 1
Dimension mm 125,0х125,0 +/-0,5 125,0х125,0 +/-0,5 125,0х125,0 +/-0,5
Symmetry W,X,Y,Z mm 20,3 - 21.9 20,3 - 21.9 20,3 - 21.9
Centre of squaring in all directions from centre mm ≤ 0,3 ≤ 0,3 ≤ 0,3
Squareness and parallelism mm < 0,5 < 0,5 < 0,5
Edge orientation (010), (001) (010), (001) (010), (001)
Thickness μm 200 +/- 20 200 +/- 20 200 +/- 20
Total thickness variation (TTV) μm < 30 < 30 < 30
Bow μm < 50 < 50 < 50
Wafer surface orientation (100) +/-3° (100) +/-3° (100) +/-3°
Surface saw damage depth μm < 20 < 20 < 20
Saw traces Ra μm < 5 < 5 < 5
Broken wafers Rejected
Quality of edge Only 2 chips per wafers of dimension < 1 mm long by 0.3 mm deep are allowed. No cracks in wafer allowed.